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產品介紹
高溫計-Si 和 SiC 晶體生長
此校準特別適合生長過程
CellaCrystal PX 44 專為 Si 和 SiC 晶體生產中的光學溫度測量而開發。
此校準特別適合生長過程。
由於混合訊號評估在整個測量範圍內具有恆定的 < 0.1 K 的高分辨率，並且得益於均勻的光感測器技術具有非常高的長期穩定性，該設備滿足了所需測量精度的高要求。
特殊功能：
測量範圍 750 至 3,000 °C
PX 44 AF 4：用於生產矽晶體的特殊校準
PX 44 AF 4：用於碳化矽生產的特殊校準
混合訊號評估以實現高計量分辨率
由於自熱極小，因此具有較高的長期穩定性
可聚焦鏡頭，用於精確調整測量距離
標準功能：IO-LINK 介面和類比輸出
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